For2ensics Project

Le projet FOR2ENSiCS vise la conception, la fabrication et les tests des modules IGBTs SiC 15 kV. Le choix de la technologie du composant est basé sur des études précédentes, qui pointent vers une tension de blocage entre le MOSFET SiC et l’IGBT SiC au-delà de 10 kV. A la fois le coût et la réduction de l’impact environnemental des procédés de fabrication seront ciblés, en utilisant de nouvelles approches pour la croissance des matériaux et la fabrication des semi-conducteurs. Dans le même temps, une autre cible majeure du projet est de comprendre les problèmes de fiabilité affectant différents composants de convertisseur tels que les dispositifs de commutation UHV, les composants passifs et le transformateur moyenne fréquence associés à une fréquence de commutation élevée et un environnement haute tension.